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GAN3R2-100CBEAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 425 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,820 $ |
| 10+ | 5,630 $ |
| 25+ | 5,220 $ |
| 50+ | 4,800 $ |
| 100+ | 4,380 $ |
| 250+ | 4,290 $ |
| 500+ | 4,170 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,82 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN3R2-100CBEAZ
Code Commande74AK7566
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0024ohm
Typical Gate Charge9.2nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0024ohm
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
60A
Typical Gate Charge
9.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits