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NSF040120D7A0J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF040120D7A0JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM5737RL
Bandes découpées03AM5737
Votre numéro de pièce
799 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 32,210 $ | 32,21 $ |
| Total Prix | 32,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 32,210 $ |
| 50+ | 23,370 $ |
| 100+ | 21,100 $ |
| 250+ | 16,660 $ |
| 500+ | 12,200 $ |
| 1000+ | 11,960 $ |
| 2500+ | 11,720 $ |
| 5000+ | 11,460 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF040120D7A0JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM5737RL
Bandes découpées03AM5737
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation306W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
306W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit