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NSF060120D7A0-QJ
SILICON CARBIDE, SIC, MOSFETS - MODULES
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF060120D7A0-QJCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine44AM4348RL
Bandes découpées44AM4348
Votre numéro de pièce
800 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 14,630 $ | 14,63 $ |
| Total Prix | 14,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,630 $ |
| 50+ | 13,400 $ |
| 100+ | 12,850 $ |
| 250+ | 11,830 $ |
| 500+ | 11,060 $ |
| 1000+ | 10,190 $ |
| 2500+ | 9,810 $ |
| 5000+ | 9,390 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNSF060120D7A0-QJCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine44AM4348RL
Bandes découpées44AM4348
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation183W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
183W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit