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NX3008PBKS,115.
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 200 mA
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,059 $ |
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177,00 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX3008PBKS,115.
Code Commande26AC2784
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Drain Source On State Resistance P Channel
2.8ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit