Imprimer la page
PMDT290UNE,115
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 400 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,556 $ |
| 10+ | 0,394 $ |
| 100+ | 0,181 $ |
| 500+ | 0,160 $ |
| 1000+ | 0,139 $ |
| 2500+ | 0,124 $ |
| 12000+ | 0,107 $ |
| 28000+ | 0,106 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
2,78 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMDT290UNE,115
Code Commande75T8011
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.29ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The PMDT290UNE is a dual N-channel enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- ESD protection up to 2kV
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.29ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits