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PMDXB1200UPEZ
Dual MOSFET, Dual P Channel, -410 mA, -30 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -700 mV RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 520 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,715 $ |
| 10+ | 0,486 $ |
| 25+ | 0,424 $ |
| 50+ | 0,362 $ |
| 100+ | 0,301 $ |
| 250+ | 0,283 $ |
| 500+ | 0,265 $ |
| 1000+ | 0,223 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,57 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMDXB1200UPEZ
Code Commande68Y7809
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleDFN1010B
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel285mW
Power Dissipation P Channel285mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
285mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
DFN1010B
Power Dissipation N Channel
285mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits