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PMGD280UN,115
MOSFET Transistor, Dual N Channel, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
7 975 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,431 $ |
| 10+ | 0,306 $ |
| 25+ | 0,258 $ |
| 50+ | 0,208 $ |
| 100+ | 0,159 $ |
| 250+ | 0,152 $ |
| 500+ | 0,145 $ |
| 1000+ | 0,138 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,16 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMGD280UN,115
Code Commande34R4571
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.28ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.28ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits