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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN012-80BS,118
Code Commande96T7349
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id74A
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd148W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation148W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PSMN012-80BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
74A
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
148W
Power Dissipation
148W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit