Imprimer la page
PSMN1R2-25YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, SOT-669, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Options de conditionnement
788 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,940 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,110 $ |
| 50+ | 1,020 $ |
| 100+ | 0,926 $ |
| 250+ | 0,902 $ |
| 500+ | 0,876 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,94 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN1R2-25YLC,115
Code Commande55T6970
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd179W
Gate Source Threshold Voltage Max1.45V
Power Dissipation179W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The PSMN1R2-25YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
179W
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.45V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour PSMN1R2-25YLC,115
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits