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PSMN3R2-40YLBX
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, POWERSO
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R2-40YLBXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine02AM6571RL
Bandes découpées02AM6571
Votre numéro de pièce
1 980 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,460 $ | 3,46 $ |
| Total Prix | 3,46 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,460 $ |
| 50+ | 2,220 $ |
| 100+ | 1,490 $ |
| 250+ | 1,330 $ |
| 500+ | 1,170 $ |
| 1000+ | 1,130 $ |
| 2500+ | 0,967 $ |
| 5000+ | 0,947 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R2-40YLBXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine02AM6571RL
Bandes découpées02AM6571
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StylePowerSO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.05V
Power Dissipation115W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
PowerSO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.05V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit