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AFV10700HSR5

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT

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Fabricant	NXP
Réf. Fabricant	AFV10700HSR5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Mise en bobine43AC2132RL Bandes découpées43AC2132
Votre numéro de pièce
Fiche technique	Data Sheet Découvrez tous les documents techniques

Disponible sur commande

Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 52 semaine(s)

Options de conditionnement

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	1 227,040 $	1 227,04 $
Total Prix			1 227,04 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Note à la ligne

Note

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Fabricant	NXP
Réf. Fabricant	AFV10700HSR5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Mise en bobine43AC2132RL Bandes découpées43AC2132
Fiche technique	Data Sheet
Drain Source Voltage Vds	105VDC
Continuous Drain Current Id	-
Power Dissipation	526W
Power Dissipation Pd	526W
Operating Frequency Min	1.03GHz
Operating Frequency Max	1.09GHz
Transistor Case Style	NI-780S
RF Transistor Case	NI-780S
No. of Pins	4Pins
Operating Temperature Max	150°C
Channel Type	N Channel
Transistor Mounting	Flange
Product Range	-
MSL	MSL 3 - 168 hours
SVHC	No SVHC (27-Jun-2024)

Product Change Notice EN

AFV10700HSR5 Data Sheet

US ECCN:	Unknown
EU ECCN:	Unknown
Conforme RoHS :	Oui RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:	Oui RoHS
SVHC :	No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit	Certificat de conformité du produit