Imprimer la page
MRF6V10010NR4
RF FET Transistor, 100 V, 960 MHz, 1.4 GHz, PLD-1.5
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 151,820 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 100
Multiple: 100
15 182,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRF6V10010NR4
Code Commande09P4207
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min960MHz
Power Dissipation Pd-
Operating Frequency Max1.4GHz
Transistor Case StylePLD-1.5
No. of Pins4Pins
RF Transistor CasePLD-1.5
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
100V
Power Dissipation
-
Power Dissipation Pd
-
Transistor Case Style
PLD-1.5
RF Transistor Case
PLD-1.5
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
960MHz
Operating Frequency Max
1.4GHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit