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MRFE6VP100HR5
RF FET Transistor, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 256,100 $ |
| 500+ | 247,910 $ |
| 1000+ | 243,800 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 50
Multiple: 50
12 805,00 $
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Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRFE6VP100HR5
Code Commande05W8099
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation100W
Operating Frequency Min1.8MHz
Power Dissipation Pd100W
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleNI-780
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseNI-780
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nA DC max gate source leakage current (VGS = 5V DC, VDS = 0V DC)
- 133V DC min drain source breakdown voltage (VGS = 0V DC, ID = 50mA)
- 10μA DC max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100V DC, VGS = 0V DC)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
100W
Power Dissipation Pd
100W
Transistor Case Style
NI-780
RF Transistor Case
NI-780
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit