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MRFE6VP5600HR5
RF FET Transistor, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | NXP |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MRFE6VP5600HR5Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 101 semaines |
| Code Commande | Bobine complète29X4271 Bandes découpées24T5453 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 50 | 493,980 $ | 24 699,00 $ |
| Total Prix | 24 699,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 493,980 $ |
| 150+ | 484,100 $ |
| 250+ | 474,210 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 497,530 $ |
| 150+ | 487,580 $ |
| 250+ | 477,620 $ |
| 500+ | 467,680 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | NXP |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MRFE6VP5600HR5Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 101 semaines |
| Code Commande | Bobine complète29X4271 Bandes découpées24T5453 |
| Fiche technique | |
| Drain Source Voltage Vds | 130V |
| Continuous Drain Current Id | 100mA |
| Power Dissipation | 1.667kW |
| Operating Frequency Min | 1.8MHz |
| Power Dissipation Pd | 1.667kW |
| Operating Frequency Max | 600MHz |
| Transistor Case Style | NI-1230 |
| No. of Pins | 4Pins |
| RF Transistor Case | NI-1230 |
| Operating Temperature Max | 225°C |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Flange |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2024) |
Aperçu du produit
The MRFE6VP5600HR5 is a 130V N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage
Applications
Industrial, Defence, Military & Aerospace, Communications & Networking
Spécifications techniques
| Drain Source Voltage Vds | 130V |
|---|---|
| Power Dissipation | 1.667kW |
| Power Dissipation Pd | 1.667kW |
| Transistor Case Style | NI-1230 |
| RF Transistor Case | NI-1230 |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2024) |
| Continuous Drain Current Id | 100mA |
|---|---|
| Operating Frequency Min | 1.8MHz |
| Operating Frequency Max | 600MHz |
| No. of Pins | 4Pins |
| Operating Temperature Max | 225°C |
| Transistor Mounting | Flange |
| MSL | - |
Produits de remplacement pour MRFE6VP5600HR5
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (27-Jun-2024) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |