Imprimer la page
MRFE6VP6300HR5
RF FET Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 164,770 $ |
| 500+ | 159,500 $ |
| 1000+ | 156,860 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 50
Multiple: 50
8 238,50 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantNXP
Réf. FabricantMRFE6VP6300HR5
Code Commande29X4273
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds130VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.05kW
Power Dissipation Pd300W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-780
RF Transistor CaseNI-780
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
Aperçu du produit
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate-source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
130VDC
Power Dissipation
1.05kW
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Power Dissipation Pd
300W
Operating Frequency Max
600MHz
RF Transistor Case
NI-780
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour MRFE6VP6300HR5
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit