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MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | NXP |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MRFE6VS25NR1Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
| Code Commande | Bobine complète05W8101 Bandes découpées28W3507 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 500 | 68,420 $ | 34 210,00 $ |
| Total Prix | 34 210,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 68,420 $ |
| 1000+ | 64,750 $ |
| 1500+ | 61,450 $ |
| 2500+ | 59,390 $ |
| 5000+ | 54,500 $ |
| 12500+ | 52,890 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 56,760 $ |
| 1500+ | 54,980 $ |
| 2500+ | 54,050 $ |
| 5000+ | 52,980 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | NXP |
|---|---|
| Réf. Fabricant | MRFE6VS25NR1Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
| Code Commande | Bobine complète05W8101 Bandes découpées28W3507 |
| Fiche technique | |
| Drain Source Voltage Vds | 133VDC |
| Continuous Drain Current Id | - |
| Power Dissipation | 25W |
| Operating Frequency Min | 1.8MHz |
| Power Dissipation Pd | 25W |
| Operating Frequency Max | 2GHz |
| Transistor Case Style | TO-270 |
| No. of Pins | 2Pins |
| RF Transistor Case | TO-270 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Mounting | Flange |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 3 - 168 hours |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2024) |
Aperçu du produit
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using Freescale's enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Applications
Industrial, Avionics, Power Management
Spécifications techniques
| Drain Source Voltage Vds | 133VDC |
|---|---|
| Power Dissipation | 25W |
| Power Dissipation Pd | 25W |
| Transistor Case Style | TO-270 |
| RF Transistor Case | TO-270 |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2024) |
| Continuous Drain Current Id | - |
|---|---|
| Operating Frequency Min | 1.8MHz |
| Operating Frequency Max | 2GHz |
| No. of Pins | 2Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transistor Mounting | Flange |
| MSL | MSL 3 - 168 hours |
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (27-Jun-2024) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |