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FDD16AN08A0
MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
5 543 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,810 $ |
| 10+ | 2,780 $ |
| 25+ | 2,580 $ |
| 50+ | 2,370 $ |
| 100+ | 2,160 $ |
| 250+ | 2,140 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,81 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD16AN08A0
Code Commande31Y1351
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd135W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation135W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
135W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits