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FDD16AN08A0
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,460 $ |
| 3000+ | 1,390 $ |
| 6000+ | 1,320 $ |
| 12000+ | 1,190 $ |
| 18000+ | 1,150 $ |
| 30000+ | 1,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 650,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD16AN08A0
Code Commande94C5748
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd135W
Transistor Case StyleTO-252AA
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation135W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDD16AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
135W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation
135W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit