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FDME820NZT
MOSFET, N-CH, 20V, 9A, 150DEG C, 2.1W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDME820NZT
Code Commande54AH8639
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
7 602 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,490 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
| 25+ | 1,010 $ |
| 50+ | 0,879 $ |
| 100+ | 0,752 $ |
| 250+ | 0,672 $ |
| 500+ | 0,591 $ |
| 1000+ | 0,499 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,49 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDME820NZT
Code Commande54AH8639
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor Case StyleMicroFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2.1W
Power Dissipation Pd2.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Case Style
MicroFET
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.1W
No. of Pins
6Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDME820NZT
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits