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9 121 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,010 $ |
| 10+ | 3,240 $ |
| 25+ | 3,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF76629D3ST
Code Commande54AH8831
Gamme de produitUltraFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeUltraFET
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
3Pins
Product Range
UltraFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour HUF76629D3ST
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
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