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NTD360N80S3Z
MOSFET, N-CH, 800V, 13A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD360N80S3Z
Code Commande82AH7655
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
2 450 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,400 $ |
| 10+ | 4,050 $ |
| 25+ | 3,770 $ |
| 50+ | 3,510 $ |
| 100+ | 3,230 $ |
| 250+ | 3,210 $ |
| 500+ | 3,190 $ |
| 1000+ | 2,980 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,40 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD360N80S3Z
Code Commande82AH7655
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd96W
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
96W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits