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NTHS4101PT1G
MOSFET, P CH, -20V, -4.8A, CHIPFET-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHS4101PT1G
Code Commande
Bobine complète83H7829
Mise en bobine81Y7044
Bandes découpées81Y7044
Votre numéro de pièce
Fiche technique
8 335 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,972 $ |
| 6000+ | 0,905 $ |
| 12000+ | 0,839 $ |
| 18000+ | 0,816 $ |
| 30000+ | 0,803 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHS4101PT1G
Code Commande
Bobine complète83H7829
Mise en bobine81Y7044
Bandes découpées81Y7044
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.8A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.3W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation Pd
1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.8A
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits