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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS2D4N04CTWG
Code Commande
Mise en bobine39AH9066
Bandes découpées39AH9066
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 566 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,280 $ |
| 10+ | 2,340 $ |
| 25+ | 2,180 $ |
| 50+ | 2,010 $ |
| 100+ | 1,850 $ |
| 250+ | 1,740 $ |
| 500+ | 1,610 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS2D4N04CTWG
Code Commande
Mise en bobine39AH9066
Bandes découpées39AH9066
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id138A
Drain Source On State Resistance2300µohm
On Resistance Rds(on)0.0019ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
138A
On Resistance Rds(on)
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits