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NVJS4151PT1G
MOSFET, P-CH, 20V, 3.2A, 150DEG C, 1.2W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 041 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,786 $ |
| 10+ | 0,655 $ |
| 25+ | 0,605 $ |
| 50+ | 0,556 $ |
| 100+ | 0,506 $ |
| 250+ | 0,476 $ |
| 500+ | 0,445 $ |
| 1000+ | 0,410 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,79 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVJS4151PT1G
Code Commande54AH9522
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.2W
Power Dissipation Pd1.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVJS4151PT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits