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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N3906BU
Code Commande83C3144
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
DC Collector Current200mA
Power Dissipation625mW
Power Dissipation Pd625mW
DC Current Gain hFE30hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The 2N3906BU is a -40V PNP Bipolar (BJT) Single Transistor, designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10µA to 100mA. This product is general usage and suitable for many different applications.
- -40V Collector to base voltage (VCBO)
- -5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
- 200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 75ns Fall time (TA = 25°C)
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
40V
DC Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation
625mW
DC Current Gain hFE
30hFE
Transistor Case Style
TO-92
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N3906BU
6 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits