Imprimer la page
2N5247
JFET Transistor, Junction Field Effect, -30 V, 24 mA, -8 V, TO-92, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N5247
Code Commande58K2804
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-30V
Gate Source Breakdown Voltage Max-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min8mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max24mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-8V
Transistor Case StyleTO-92
Transistor TypeRF FET
No. of Pins3 Pin
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
8mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-8V
Transistor Type
RF FET
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
24mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit