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2N7002
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète43K0288
Mise en bobine58K9651RL
Bandes découpées58K9651
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,981 $ | 0,98 $ |
| Total Prix | 0,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,981 $ |
| 50+ | 0,477 $ |
| 100+ | 0,426 $ |
| 250+ | 0,382 $ |
| 500+ | 0,337 $ |
| 1000+ | 0,330 $ |
| 2500+ | 0,323 $ |
| 5000+ | 0,318 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,253 $ |
| 9000+ | 0,237 $ |
| 15000+ | 0,232 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète43K0288
Mise en bobine58K9651RL
Bandes découpées58K9651
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd200mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. It minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. Suitable for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Power Dissipation Pd
200mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit