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2N7002
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | 2N7002Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
| Code Commande | Bobine complète43K0288 Mise en bobine58K9651RL Bandes découpées58K9651 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
36 731 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,992 $ | 0,99 $ |
| Total Prix | 0,99 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,992 $ |
| 50+ | 0,482 $ |
| 100+ | 0,431 $ |
| 250+ | 0,386 $ |
| 500+ | 0,341 $ |
| 1000+ | 0,334 $ |
| 2500+ | 0,327 $ |
| 5000+ | 0,320 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,259 $ |
| 6000+ | 0,241 $ |
| 9000+ | 0,237 $ |
| 15000+ | 0,231 $ |
| 30000+ | 0,227 $ |
| 75000+ | 0,221 $ |
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | 2N7002Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
| Code Commande | Bobine complète43K0288 Mise en bobine58K9651RL Bandes découpées58K9651 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Continuous Drain Current Id | 115mA |
| Drain Source On State Resistance | 7.5ohm |
| On Resistance Rds(on) | 1.2ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 200mW |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.1V |
| Power Dissipation | 200mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The 2N7002 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. It minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. Suitable for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Drain Source On State Resistance | 7.5ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.1V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 115mA |
| On Resistance Rds(on) | 1.2ohm |
| Power Dissipation Pd | 200mW |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation | 200mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |