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2N7002DW
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002DWCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète10N3235
Mise en bobine05R0387RL
Bandes découpées05R0387
Votre numéro de pièce
14 205 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,766 $ | 0,77 $ |
| Total Prix | 0,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,766 $ |
| 50+ | 0,368 $ |
| 100+ | 0,328 $ |
| 250+ | 0,292 $ |
| 500+ | 0,256 $ |
| 1000+ | 0,250 $ |
| 2500+ | 0,246 $ |
| 5000+ | 0,240 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,203 $ |
| 9000+ | 0,199 $ |
| 15000+ | 0,195 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002DWCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète10N3235
Mise en bobine05R0387RL
Bandes découpées05R0387
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002DW
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit