Imprimer la page
2N7002DW
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002DWCopie
Code Commande
Mise en bobine05R0387
Bandes découpées05R0387
Votre numéro de pièce
267 327 En Stock
Vous en voulez davantage ?
15327 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
252000 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,691 $ | 0,69 $ |
| Total Prix | 0,69 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,691 $ |
| 25+ | 0,433 $ |
| 50+ | 0,365 $ |
| 100+ | 0,295 $ |
| 250+ | 0,263 $ |
| 500+ | 0,231 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002DWCopie
Code Commande
Mise en bobine05R0387
Bandes découpées05R0387
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002DW
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit