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2N7002ET1G
MOSFET Transistor, N Channel, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
6 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,059 $ |
| 6000+ | 0,056 $ |
| 12000+ | 0,053 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
177,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002ET1G
Code Commande04X9593
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd420mW
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
420mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002ET1G
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits