Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK1947
Mise en bobine39K1536RL
Bandes découpées39K1536
Votre numéro de pièce
545 829 En Stock
545 829 disponibles sur {packagingType}
51 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,362 $ | 0,36 $ |
| Total Prix | 0,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,362 $ |
| 50+ | 0,230 $ |
| 100+ | 0,148 $ |
| 250+ | 0,131 $ |
| 500+ | 0,112 $ |
| 1000+ | 0,101 $ |
| 2500+ | 0,099 $ |
| 5000+ | 0,097 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,078 $ |
| 9000+ | 0,071 $ |
| 15000+ | 0,070 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK1947
Mise en bobine39K1536RL
Bandes découpées39K1536
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.
- Halogen-free/BFR-free
- ?20VDC sate to source voltage
- 60VDC Drain to gate voltage
- 417?C/W Thermal resistance, junction to ambient
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour 2N7002LT1G
8 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
