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Quantité | Prix |
---|---|
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50+ | 0,184 $ |
100+ | 0,092 $ |
250+ | 0,092 $ |
500+ | 0,091 $ |
1000+ | 0,075 $ |
2500+ | 0,071 $ |
5000+ | 0,062 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002LT3G
Code Commande09R9864
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The 2N7002LT3G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and ±115mA continuous drain current.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Power Dissipation Pd
300mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002LT3G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits