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2N7002WT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002WT1G
Code Commande09R9865
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id340mA
Drain Source On State Resistance1.6ohm
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd330mW
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Produits de remplacement pour 2N7002WT1G
4 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The 2N7002WT1G is a N-channel small signal Power MOSFET ideal for low power applications. It offers 60V drain source voltage and 310mA continuous drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Small footprint surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
330mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
340mA
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits