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3LP01M-TL-H
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant3LP01M-TL-HCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine42AC1865RL
Bandes découpées42AC1865
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,554 $ | 0,55 $ |
| Total Prix | 0,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,554 $ |
| 50+ | 0,432 $ |
| 100+ | 0,302 $ |
| 250+ | 0,256 $ |
| 500+ | 0,217 $ |
| 1000+ | 0,179 $ |
| 2500+ | 0,155 $ |
| 5000+ | 0,132 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant3LP01M-TL-HCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine42AC1865RL
Bandes découpées42AC1865
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
On Resistance Rds(on)8ohm
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Power Dissipation Pd150mW
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
150mW
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit