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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant4N25SR2VMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K9086RL
Bandes découpées98K9086
Votre numéro de pièce
512 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,020 $ | 1,02 $ |
| Total Prix | 1,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,704 $ |
| 100+ | 0,513 $ |
| 250+ | 0,470 $ |
| 500+ | 0,427 $ |
| 1000+ | 0,383 $ |
| 2500+ | 0,359 $ |
| 5000+ | 0,325 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant4N25SR2VMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine98K9086RL
Bandes découpées98K9086
Fiche technique
No. of Channels1 Channel
Optocoupler Case StyleSurface Mount DIP
No. of Pins6Pins
Forward Current If Max60mA
Isolation Voltage7.5kV
CTR Min20%
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 4N25SR2VM is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V Highest allowable over-voltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Optocoupler Case Style
Surface Mount DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
20%
Product Range
-
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 4N25SR2VM
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
