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4N35S-M
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, Surface Mount DIP, 6 Pins, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant4N35S-MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande67K2285
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,030 $ |
| 10+ | 0,665 $ |
| 100+ | 0,544 $ |
| 500+ | 0,508 $ |
| 1000+ | 0,440 $ |
| 2500+ | 0,432 $ |
| 10000+ | 0,423 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant4N35S-MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande67K2285
Fiche technique
No. of Channels1 Channel
Optocoupler Case StyleSurface Mount DIP
No. of Pins6Pins
Forward Current If Max60mA
Isolation Voltage7.5kV
CTR Min100%
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Produits de remplacement pour 4N35S-M
4 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The 4N35S-M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Optocoupler Case Style
Surface Mount DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
Documents techniques (1)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits