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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC516-D27Z
Code Commande31Y0471
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Transition Frequency200MHz
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation Pd625mW
DC Collector Current1A
Power Dissipation625mW
RF Transistor CaseTO-226AA
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE30000hFE
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min30000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour BC516-D27Z
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The BC516_D27Z is a PNP Darlington Transistor designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1A.
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Continuous Collector Current
1A
DC Collector Current
1A
RF Transistor Case
TO-226AA
DC Current Gain hFE
30000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
30000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Transition Frequency
200MHz
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-226AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit