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BC856BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual PNP, 65 V, 100 mA
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC856BDW1T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète26K3474
Mise en bobine10N9391RL
Bandes découpées10N9391
Votre numéro de pièce
25 900 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 0,304 $ | 0,30 $ |
| Total Prix | 0,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,304 $ |
| 50+ | 0,187 $ |
| 100+ | 0,121 $ |
| 250+ | 0,107 $ |
| 500+ | 0,091 $ |
| 1000+ | 0,082 $ |
| 2500+ | 0,081 $ |
| 5000+ | 0,080 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12000+ | 0,059 $ |
| 36000+ | 0,057 $ |
| 60000+ | 0,056 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBC856BDW1T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète26K3474
Mise en bobine10N9391RL
Bandes découpées10N9391
Fiche technique
Aperçu du produit
The BC856BDW1T1G is a PNP dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BC856BDW1T1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit