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BCP56
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1.2 A, 1 W, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBCP56Copie
Code Commande
Mise en bobine58K0081RL
Bandes découpées58K0081
Votre numéro de pièce
Modèle arrêté
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBCP56Copie
Code Commande
Mise en bobine58K0081RL
Bandes découpées58K0081
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Transition Frequency-
Continuous Collector Current1.2A
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
DC Collector Current1.2A
DC Current Gain hFE25hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Produits de remplacement pour BCP56
4 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The BCP56 is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1A.
- Sourced from process 39
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1.2A
Power Dissipation
1W
DC Current Gain hFE
25hFE
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Transition Frequency
-
Power Dissipation Pd
1W
DC Collector Current
1.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (3)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit