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BCP56T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,946 $ | 0,95 $ |
| Total Prix | 0,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,946 $ |
| 10+ | 0,572 $ |
| 25+ | 0,527 $ |
| 50+ | 0,483 $ |
| 100+ | 0,438 $ |
| 250+ | 0,417 $ |
| 500+ | 0,395 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 8000+ | 0,281 $ |
| 12000+ | 0,251 $ |
| 18000+ | 0,238 $ |
| 30000+ | 0,214 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBCP56T1GCopie
Code Commande
Bobine complète34P0441
Mise en bobine58M4017
Bandes découpées58M4017
Gamme de produitBCxxx
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation1.5W
Power Dissipation Pd1.5W
DC Collector Current1A
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE250hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency130MHz
DC Current Gain hFE Min250hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBCxxx
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BCP56T1G is a NPN bipolar Silicon Epitaxial Transistor designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. This package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Halogen-free
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- PNP complement is BCP53T1
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation
1.5W
DC Collector Current
1A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Product Range
BCxxx
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
1.5W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE
250hFE
Transition Frequency
130MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit