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BDV64BG
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
303 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,910 $ |
| 10+ | 3,270 $ |
| 25+ | 3,260 $ |
| 60+ | 3,230 $ |
| 120+ | 3,210 $ |
| 270+ | 3,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,91 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBDV64BGCopie
Code Commande37K9413
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Continuous Collector Current10A
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd125W
DC Collector Current10A
Power Dissipation125W
Transistor Case StyleTO-247
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
-
DC Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits