Imprimer la page
BSS123L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS123LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1480
Mise en bobine84Y9816RL
Bandes découpées84Y9816
Votre numéro de pièce
75 747 En Stock
75 747 disponibles sur {packagingType}
9 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,392 $ | 0,39 $ |
| Total Prix | 0,39 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,392 $ |
| 50+ | 0,243 $ |
| 100+ | 0,156 $ |
| 250+ | 0,138 $ |
| 500+ | 0,119 $ |
| 1000+ | 0,107 $ |
| 2500+ | 0,105 $ |
| 5000+ | 0,102 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,088 $ |
| 9000+ | 0,081 $ |
| 15000+ | 0,080 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS123LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1480
Mise en bobine84Y9816RL
Bandes découpées84Y9816
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
On Resistance Rds(on)2.98ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.405V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS123L is produced using high cell density trench MOSFET technology. This minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. The BSS123L is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor controller, power MOSFET gate drivers, logic level transistorss, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
- High density cell design for low on-resistance
- Rugged and reliable
- Very low capacitance
- Fast switching speed
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.405V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
On Resistance Rds(on)
2.98ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSS123L
6 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit