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BSS138
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS138Copie
Code Commande
Mise en bobine58K8769
Bandes découpées58K8769
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,449 $ | 0,45 $ |
| Total Prix | 0,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,449 $ |
| 25+ | 0,281 $ |
| 50+ | 0,231 $ |
| 100+ | 0,181 $ |
| 250+ | 0,160 $ |
| 500+ | 0,138 $ |
| 1000+ | 0,124 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS138Copie
Code Commande
Mise en bobine58K8769
Bandes découpées58K8769
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id220mA
On Resistance Rds(on)0.7ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS138 is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance thus BSS138 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs 10V
- Continuous drain current of 220mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
0.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit