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BSS138
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | BSS138Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2009 Mise en bobine58K8769RL Bandes découpées58K8769 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
14 609 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,467 $ | 0,47 $ |
| Total Prix | 0,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,467 $ |
| 50+ | 0,217 $ |
| 100+ | 0,192 $ |
| 250+ | 0,170 $ |
| 500+ | 0,147 $ |
| 1000+ | 0,145 $ |
| 2500+ | 0,142 $ |
| 5000+ | 0,139 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,109 $ |
| 6000+ | 0,099 $ |
| 9000+ | 0,098 $ |
| 15000+ | 0,095 $ |
| 30000+ | 0,094 $ |
| 75000+ | 0,091 $ |
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | BSS138Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | Bobine complète67R2009 Mise en bobine58K8769RL Bandes découpées58K8769 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 50V |
| Continuous Drain Current Id | 220mA |
| Drain Source On State Resistance | 3.5ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.7ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 360mW |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.3V |
| Power Dissipation | 360mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The BSS138 is N channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance thus BSS138 are suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs 10V
- Continuous drain current of 220mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 50V |
| Drain Source On State Resistance | 3.5ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.3V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 220mA |
| On Resistance Rds(on) | 0.7ohm |
| Power Dissipation Pd | 360mW |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation | 360mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSS138
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |