Imprimer la page
BSS138LT3G
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS138LT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète37AH9122
Bobine complète45J0624
Mise en bobine09R9392RL
Bandes découpées09R9392
Votre numéro de pièce
5 133 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,423 $ | 0,42 $ |
| Total Prix | 0,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,423 $ |
| 50+ | 0,267 $ |
| 100+ | 0,170 $ |
| 250+ | 0,151 $ |
| 500+ | 0,131 $ |
| 1000+ | 0,108 $ |
| 2500+ | 0,105 $ |
| 5000+ | 0,101 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10000+ | 0,074 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS138LT3GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète37AH9122
Bobine complète45J0624
Mise en bobine09R9392RL
Bandes découpées09R9392
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
On Resistance Rds(on)5.6ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd225mW
Rds(on) Test Voltage2.75V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS138LT3G is a N-channel Power MOSFET with low threshold voltage and ideal for low voltage applications. Miniature surface mount package saves board space.
- ±20VDC Continuous gate-to-source voltage
- 556°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.75V
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
5.6ohm
Power Dissipation Pd
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSS138LT3G
4 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit