Imprimer la page
BUL45D2G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBUL45D2GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande26K3550
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 3,320 $ |
| 500+ | 2,910 $ |
| 750+ | 2,430 $ |
| 1250+ | 2,280 $ |
| 2500+ | 2,100 $ |
| 6250+ | 1,790 $ |
| 12500+ | 1,750 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 250
Multiple: 250
830,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBUL45D2GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande26K3550
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
DC Collector Current5A
DC Current Gain hFE32hFE
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Transition Frequency13MHz
DC Current Gain hFE Min32hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BUL45D2G is a NPN state-of-art high speed high gain Bipolar Power Transistor (H2BIP) with high dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread 150ns on storage time makes it ideally suitable for light ballast applications. It offers extremely low storage time minimum/maximum guarantees due to the H2BIP structure which minimizes the spread.
- Low base drive requirement
- Integrated collector-emitter free wheeling diode
- Fully characterized and guaranteed dynamic VCE(sat)
- 6 Sigma process providing tight and reproducible parameter spreads
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation Pd
75W
DC Collector Current
5A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
32hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
5A
Power Dissipation
75W
DC Current Gain hFE
32hFE
Transistor Case Style
TO-220
Transition Frequency
13MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BUL45D2G
1 produit trouvé
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit