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BVSS84LT1G
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1G
Code Commande50AC4853
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance4.7ohm
On Resistance Rds(on)4.7ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd225mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produits de remplacement pour BVSS84LT1G
4 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
4.7ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
On Resistance Rds(on)
4.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
225mW
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit