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BVSS84LT1G
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC6470
Bobine complète86AK1158
Mise en bobine50AC4853RL
Bandes découpées50AC4853
Votre numéro de pièce
65 437 En Stock
65 437 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,588 $ | 2,94 $ |
| Total Prix | 2,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,588 $ |
| 50+ | 0,375 $ |
| 100+ | 0,247 $ |
| 250+ | 0,220 $ |
| 500+ | 0,192 $ |
| 1000+ | 0,173 $ |
| 2500+ | 0,170 $ |
| 5000+ | 0,166 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,118 $ |
| 6000+ | 0,146 $ |
| 9000+ | 0,106 $ |
| 12000+ | 0,131 $ |
| 15000+ | 0,104 $ |
| 18000+ | 0,124 $ |
| 30000+ | 0,112 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète25AC6470
Bobine complète86AK1158
Mise en bobine50AC4853RL
Bandes découpées50AC4853
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
On Resistance Rds(on)4.7ohm
Drain Source On State Resistance4.7ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd225mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
4.7ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
Drain Source On State Resistance
4.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
225mW
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produits de remplacement pour BVSS84LT1G
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit