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FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine50AC4853
Bandes découpées50AC4853
Votre numéro de pièce
66 002 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,688 $ | 3,44 $ |
| Total Prix | 3,44 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,688 $ |
| 10+ | 0,536 $ |
| 25+ | 0,376 $ |
| 50+ | 0,316 $ |
| 100+ | 0,270 $ |
| 250+ | 0,221 $ |
| 500+ | 0,191 $ |
| 1000+ | 0,163 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBVSS84LT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine50AC4853
Bandes découpées50AC4853
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance4.7ohm
On Resistance Rds(on)4.7ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd225mW
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
4.7ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
225mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
On Resistance Rds(on)
4.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produits de remplacement pour BVSS84LT1G
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
