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FCB20N60
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB20N60Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4912
Mise en bobine93K5944RL
Bandes découpées93K5944
Votre numéro de pièce
1 057 En Stock
1 057 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 8,810 $ | 8,81 $ |
| Total Prix | 8,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,810 $ |
| 50+ | 7,770 $ |
| 100+ | 7,130 $ |
| 250+ | 6,440 $ |
| 500+ | 5,600 $ |
| 1000+ | 4,440 $ |
| 2500+ | 4,210 $ |
| 5000+ | 3,960 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 4,440 $ |
| 2400+ | 4,240 $ |
| 4000+ | 3,980 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB20N60Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4912
Mise en bobine93K5944RL
Bandes découpées93K5944
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd208W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
- 100% avalanche tested
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
208W
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour FCB20N60
5 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit