Imprimer la page
FCD4N60TM
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD4N60TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1763
Mise en bobine34M6097RL
Bandes découpées34M6097
Votre numéro de pièce
12 681 En Stock
12 681 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 4,100 $ | 20,50 $ |
| Total Prix | 20,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 4,100 $ |
| 10+ | 2,770 $ |
| 15+ | 2,590 $ |
| 25+ | 2,390 $ |
| 50+ | 2,210 $ |
| 125+ | 2,020 $ |
| 250+ | 1,860 $ |
| 500+ | 1,690 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,600 $ |
| 3000+ | 1,550 $ |
| 6000+ | 1,440 $ |
| 12000+ | 1,330 $ |
| 18000+ | 1,300 $ |
| 30000+ | 1,270 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCD4N60TMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète85AC1763
Mise en bobine34M6097RL
Bandes découpées34M6097
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.9A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
- 100% avalanche tested
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FCD4N60TM
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit