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FCP125N65S3R0
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP125N65S3R0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande62AC6864
Gamme de produitSUPERFET III
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,730 $ |
| 10+ | 7,530 $ |
| 25+ | 6,320 $ |
| 50+ | 5,110 $ |
| 100+ | 4,760 $ |
| 250+ | 4,460 $ |
| 500+ | 4,150 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,73 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP125N65S3R0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande62AC6864
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.105ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd181W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation181W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
181W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.105ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FCP125N65S3R0
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit