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FCP165N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 19A, TO-220
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP165N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande62AC6865
Gamme de produitSUPERFET III
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,360 $ |
| 10+ | 3,590 $ |
| 25+ | 3,470 $ |
| 50+ | 3,350 $ |
| 100+ | 3,240 $ |
| 250+ | 2,960 $ |
| 500+ | 2,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,36 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP165N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande62AC6865
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd154W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation154W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
154W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
154W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit